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隨著制造工藝的升級(jí)，半導(dǎo)體電路的線寬變得越來(lái)越細(xì)。當(dāng)前，**進(jìn)的是7納米（納米是10億分之一米），正式生產(chǎn)5nm工藝芯片也在議程中。半導(dǎo)體電路越細(xì)，性能越好，功耗降低，但是同時(shí)生產(chǎn)將非常困難。如果存在較小的缺陷，則不能正常形成半導(dǎo)體電路。
隨著半導(dǎo)體制造工藝的改進(jìn)，檢測(cè)半導(dǎo)體缺陷變得更加困難。微米級(jí)電子半導(dǎo)體通常使用X射線實(shí)時(shí)成像檢查設(shè)備從檢查圖像中查找缺陷位置。但是，由于電子部件越來(lái)越小，因此對(duì)X射線檢查設(shè)備的分辨率和放大倍數(shù)的要求很高。 目前，精度**的半導(dǎo)體CT檢查設(shè)備與X射線設(shè)備的檢測(cè)原理相同，但CT設(shè)備的檢測(cè)精度會(huì)更高，其檢查圖像是三維的，是通過旋轉(zhuǎn)獲得被測(cè)物體360度的檢測(cè)圖像。通過特定算法將數(shù)十萬(wàn)個(gè)二維數(shù)字成像投影重建為三維體圖像，用戶可以在任何角度觀察和切割三維體積。
CT檢查圖像
X射線檢查設(shè)備主要用于檢測(cè)半導(dǎo)體布線處的焊接問題。焊接容易產(chǎn)生虛假焊接和漏焊等缺陷，一旦形成這些缺陷，半導(dǎo)體就容易發(fā)生短路和其他問題。為了正常使用半導(dǎo)體元件，必須在焊接完成后使用X射線缺陷檢測(cè)。隨著半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展，X射線檢查設(shè)備也在不斷開發(fā)和升級(jí)，并致力于為電子制造商提供高質(zhì)量的檢查設(shè)備。
納米芯片檢查目前無(wú)法滿足X射線檢查設(shè)備的檢查要求，但隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，各種缺陷檢測(cè)方法必將出現(xiàn)，以更好地服務(wù)于產(chǎn)品和企業(yè)。
日聯(lián)科技的X射線檢測(cè)設(shè)備基于高分辨率成像技術(shù)，在較大工作距離處的高分辨率成像技術(shù)可以對(duì)較大和較密的樣品（包括零件和設(shè)備）執(zhí)行無(wú)損高分辨率3D成像。此外，可選的平板檢測(cè)器可以快速宏觀地掃描大體積樣品，提供定位導(dǎo)航以掃描樣品內(nèi)部感興趣的區(qū)域。日聯(lián)科技秉承誠(chéng)信，開拓，卓越，“陽(yáng)光，正直，學(xué)習(xí)，感恩”的核心價(jià)值觀，不斷為客戶和合作伙伴提供專業(yè)，高效，優(yōu)質(zhì)的品牌影響力。
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