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隨著市場需求的增加和技術的發(fā)展，微電子封裝逐漸走向小型化、集成化、低成本，封裝形式不斷從二維封裝向三維堆疊封裝推進。同時，傳統摩爾定律的特征尺寸不斷接近集成電路技術的物理極限。簡單縮小芯片特征尺寸已不能滿足半導體技術和電子產品開發(fā)的需要。系統級封裝技術已成為從封裝技術角度延續(xù)摩爾定律的另一條技術路線，越來越受到關注和應用。

與單片集成電路相比，SIP內部復雜的封裝結構和各種芯片，元件的組合結構對熱應力、機械應力和電磁干擾更加敏感，容易失效。當芯片、元件高度集成時，產品組裝焊接時溫度分布不均勻溫度分布不均勻；工作時，隨著內部芯片和組件加熱的增加，溫度會繼續(xù)增加，尤其是功率裝置的存在。溫度分布不均勻和高溫異常的出現會損壞SIP的內部封裝結構。由于熱膨脹系數不一致，不同材料之間會出現熱失配，界面會出現分層、裂紋等故障。

SIP產品具有復雜的互連系統。焊點的可靠性與異質材料之間電氣和機械連接的可靠性有關，這在很大程度上決定了產品的質量。在循環(huán)彎曲、墜落等機械應力的作用下，SIP的主要失效點集中在焊點位置，特別是當包裹的硬度較大時。

為了滿足SIP產品的故障分析，實現內部互連結構和芯片內部結構中故障點的定位，分析技術必須向高空間分辨率、高電熱測試靈敏度和高頻方向發(fā)展。3DX-Ray作為一種非破壞性缺陷檢測技術，常被用于半導體器件失效分析。

3DX-Ray的檢測原理與2DX-Ray相同，但成像結果不同。3DX-Ray可以掃描堆疊部分的三維斷層，用45°/60°傾斜角旋轉360°掃描樣品，然后組合3D圖像。3DX-Ray通過軟件將2D圖像一層一層合成3D圖像。因此，只要使用合適的軟件，就可以逐一切割測量對象的內部結構，并顯示不同深度的各層圖像。如果使用準確，也可以更清楚地顯示小缺陷，從而達到判斷缺陷的目的。

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